美國(guó)光譜儀二手ICP OES Optima 7300DV
詳細(xì)介紹
PerkinElmer的電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀( ICP-OES )主要由進(jìn)樣系統(tǒng)、射頻(RF)發(fā)生器、分光系統(tǒng)、檢測(cè)器和軟件等五部分組成。 PerkinElmer的ICP-OES基本原理:利用氬等離子體產(chǎn)生的高溫使試樣完全分解形成激發(fā)態(tài)的原子和離子,由于激發(fā)態(tài)的原子和離子不穩(wěn)定,外層電子會(huì)從激發(fā)態(tài)向低的能級(jí)躍遷,因此發(fā)射出特征的譜線。通過(guò)光柵等分光后,利用檢測(cè)器檢測(cè)特定波長(zhǎng)的強(qiáng)度,從而測(cè)定試樣中待測(cè)元素的含量。 PerkinElmer的ICP-OES可以分析元素周期表中所有金屬元素,檢出限在1ppb以下。同時(shí)可以分析絕大部分非金屬元素,例如As、Se、P、S、Si、Te等,檢出限低于10ppb,如果配合使用氫化物發(fā)生器,這些非金屬的檢出限可以改善10倍以上。 ICP-OES以其優(yōu)異的分析性能成為各種物料常規(guī)分析普遍采用的檢測(cè)手段,例如測(cè)定植物、動(dòng)物體、人發(fā)、血液、水樣、飲料、土壤、肥料、化學(xué)試劑、金屬和合金、巖石和礦物等物料中常量和痕量金屬元素都有許多報(bào)道。
性能
動(dòng)態(tài)范圍:106,具有同時(shí)準(zhǔn)確分析出中量(1%以上)、常量(0.01%)和微量(1ppm以下)元素的實(shí)際樣品用戶(hù)應(yīng)用實(shí)例。具有同時(shí)準(zhǔn)確分析主量(50%以上)和常量(0.01%)元素的實(shí)際樣品用戶(hù)應(yīng)用實(shí)例。 50個(gè)元素/分鐘,且實(shí)施背景校正。?分析速度 : 精密度:1ppm 混合多元素溶液。CV<0.5%。 穩(wěn)定性:1小時(shí)RSD<1%, 4小時(shí)RSD<2%。 0.003nm。分辨率:在200nm處,光學(xué)半峰寬分辨率0.006nm,像素分離度:0.003nm。此外Zn206nm、Cd214nm、Ni232nm、Cu324nm、Cu327nm、Ag338nm、Ca393nm的譜線的半峰寬分辨率均不得大于0.011nm。
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美國(guó)光譜儀二手ICP OES Optima 7300DV
詳細(xì)介紹
PerkinElmer的電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀( ICP-OES )主要由進(jìn)樣系統(tǒng)、射頻(RF)發(fā)生器、分光系統(tǒng)、檢測(cè)器和軟件等五部分組成。
PerkinElmer的ICP-OES基本原理:利用氬等離子體產(chǎn)生的高溫使試樣完全分解形成激發(fā)態(tài)的原子和離子,由于激發(fā)態(tài)的原子和離子不穩(wěn)定,外層電子會(huì)從激發(fā)態(tài)向低的能級(jí)躍遷,因此發(fā)射出特征的譜線。通過(guò)光柵等分光后,利用檢測(cè)器檢測(cè)特定波長(zhǎng)的強(qiáng)度,從而測(cè)定試樣中待測(cè)元素的含量。
PerkinElmer的ICP-OES可以分析元素周期表中所有金屬元素,檢出限在1ppb以下。同時(shí)可以分析絕大部分非金屬元素,例如As、Se、P、S、Si、Te等,檢出限低于10ppb,如果配合使用氫化物發(fā)生器,這些非金屬的檢出限可以改善10倍以上。
ICP-OES以其優(yōu)異的分析性能成為各種物料常規(guī)分析普遍采用的檢測(cè)手段,例如測(cè)定植物、動(dòng)物體、人發(fā)、血液、水樣、飲料、土壤、肥料、化學(xué)試劑、金屬和合金、巖石和礦物等物料中常量和痕量金屬元素都有許多報(bào)道。
美國(guó)光譜儀二手ICP OES Optima 7300DV
性能
動(dòng)態(tài)范圍:106,具有同時(shí)準(zhǔn)確分析出中量(1%以上)、常量(0.01%)和微量(1ppm以下)元素的實(shí)際樣品用戶(hù)應(yīng)用實(shí)例。具有同時(shí)準(zhǔn)確分析主量(50%以上)和常量(0.01%)元素的實(shí)際樣品用戶(hù)應(yīng)用實(shí)例。
50個(gè)元素/分鐘,且實(shí)施背景校正。?分析速度 :
精密度:1ppm 混合多元素溶液。CV<0.5%。
穩(wěn)定性:1小時(shí)RSD<1%, 4小時(shí)RSD<2%。
0.003nm。分辨率:在200nm處,光學(xué)半峰寬分辨率0.006nm,像素分離度:0.003nm。此外Zn206nm、Cd214nm、Ni232nm、Cu324nm、Cu327nm、Ag338nm、Ca393nm的譜線的半峰寬分辨率均不得大于0.011nm。